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簡(jiǎn)要描述:LODAS™ – CI8是列真株式會(huì )社推出的一款化合物半導體SiC、GaN晶圓檢查裝置。
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列真株式會(huì )社自創(chuàng )業(yè)以來(lái),秉承“挑戰"、“創(chuàng )造"、“誠實(shí)"的經(jīng)營(yíng)理念,為顧客提供可靠、可信的產(chǎn)品和服務(wù)。運用激光掃描技術(shù),專(zhuān)門(mén)制造、銷(xiāo)售半導體材料表面及內部檢查、石英玻璃表面檢查等檢查裝置。其激光檢測技術(shù)可同時(shí)收集激光的反射光,透射光以及共聚焦,可一次性檢查第三代半導體SIC等材料表面,背面和內部的缺陷,可探測最小缺陷為100納米,主要用于半導體光罩、LCD大型光罩的石英玻璃表面、內部、背面的缺陷檢查
特征:
SiC單晶晶圓和EPI晶圓都可以檢查。
不僅是表面缺陷,內部缺陷和背面缺陷也同時(shí)檢查。
有助于缺陷分析的4種Review圖像。
“AI Classify"進(jìn)行缺陷分類(lèi)、好壞判定。
免維護。
世界FIRST用反射散射光、透射散射光、共聚焦光的混合檢查裝置。
能檢出至今為止檢查不出的缺陷。
規格:
檢查激光:405nm 200mW
檢查時(shí)間:200sec(尺寸:4英寸)
檢查對象:2英寸、3英寸、4英寸、6英寸
設備尺寸:WxDxH=450x500x730mm
使用電源:AC100V~200V 10A
應用:
SiC、GaN
半導體光罩(石英玻璃與涂層)
石英Wafer Si Wafer
HDD Disk LT Wafer
藍寶石襯底
EUV光罩
光罩防塵膜
可全面檢測表面、內部、背面的缺陷。
檢出缺陷:顆粒、劃痕、結晶缺陷。
外延缺陷 襯底缺陷
胡蘿卜型缺陷 六方空洞缺陷
慧星缺陷 層錯缺陷
三角缺陷 微管缺陷
邊緣缺陷
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